低成本宽禁带单晶薄膜的结构及制备方法专利查询检索|低成本宽禁带单晶薄膜的结构及制备方法专利申请-路标网

商标
专利
政策

专利名

专利名
申请号
申请人
权利人
代理机构

或

免费

专利名称 1 申请号申请人权利人代理机构

专利申请专利分类表专利评估专利年费计算专利政策

专利类型：

专利有效性：

法律状态：

高级筛选：

申请年份

公开年份

授权年份

IPC分类号

申请人

当前权利人

路标网共为您找到相关结果1个

公开(公告)时间

申请时间

只看在售

低成本宽禁带单晶薄膜的结构及制备方法

发明专利有效专利

申请号：CN201210100957.4
申请人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日：2012-04-09
主分类号：H01L21/02
公开（公告）日：2012-08-29
公开/公告号：CN102651309A

委托购买

摘要：本发明是低成本宽禁带单晶薄膜的结构及制备方法，其结构是单晶硅衬底上是氮化铝缓冲层；在氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶缓冲层；在碳化硅缓冲层上是宽禁带单晶薄膜；其制备工艺：在单晶硅衬底上制备氮化铝缓冲层；降至室温取出；在氮化铝缓冲层上制备碳化硅缓冲层；降至室温取出；在碳化硅缓冲层上制备等宽禁带单晶薄膜；降至室温取出。优点：提高薄膜晶体质量，改善了表面形貌，兼具较好的晶格匹配，较高的导热性，应力释放，阻挡Si扩散等优点。借助单晶Si衬底实现尺寸放大、成本降低等新特点，为低成本宽禁带薄膜的研制开辟了有意义的途径。

著录信息权利要求说明书PDF全文法律状态引证文献

前往

页

没找到想要的结果？为您推荐专业专利顾问检索 低成本宽禁带单晶薄膜的结构及制备方法 专利，更快更准确

免费

我想查:已帮助0位用户进行查询

一种膜丝阻断胶添加设备

实用新型

低成本宽禁带单晶薄膜的结构及制备方法

在售专利 早买早用

您正在查看低成本宽禁带单晶薄膜的结构及制备方法专利

在售专利早买早用