摘要：在CMOS图像传感器的制造过程中，在将重掺p型杂质离子注入到PMOS晶体管中时，将重掺p型杂质离子(例如，B)注入假沟槽区中，使得金属离子污染被去除。从而，提供了一种CMOS图像传感器，可通过吸收金属离子污染而减小泄漏电流。

摘要：本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，在多个微透镜之间形成遮光层，以改善反射特性，并在封装时保护微透镜。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底；至少一个光电二极管，在半导体衬底上；第一绝缘层，形成于包括有光电二极管的衬底上；多条金属线，形成于第一绝缘层上；第二绝缘层，形成于包括有金属线的第一绝缘层上；多个遮光层，形成于第二绝缘层上；以及微透镜，形成于多个遮光层之间的第二绝缘层上。

摘要：图像传感器包括：半导体基片；形成于基片之上的第一滤色器图案，所述第一滤色器图案具有带有第一倾斜的边缘部分；以及紧邻第一滤色器图案而形成的第二滤色器图案，所述第二滤色器图案具有带有第二倾斜的边缘部分。

摘要：本发明提供了一种COMS图像传感器及其制造方法，其中，在形成微透镜的同时形成焊盘开口。该COMS图像传感器包括沉积在氧化物层上、用于钝化的氮化物层，其中，从在氮化物层上形成的牺牲微透镜层形成具有微透镜结构的牺牲微透镜，并且其中，在形牺牲微透镜之后，氮化物层被转移蚀刻，使氮化物层具有牺牲微透镜的微透镜结构。

摘要：一种CMOS图像传感器及其制造方法，可通过将三角形的光电二极管区设置成使其与STI相接触的界面最小化，或进行氘退火以去除来自于与氧化物相接触的界面的不饱和键，来减小光电二极管的泄漏电流。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底；在半导体衬底上的器件隔离层；以及多个光电二极管，每一个光电二极管均具有使其边界与器件隔离层相接触的面积最小化的形状。

摘要：本发明提供了一种COMS图像传感器及其制造方法，其中，在形成微透镜的同时形成焊盘开口。该COMS图像传感器包括沉积在氧化物层上、用于钝化的氮化物层，其中，从仅在所述像素阵列中和氮化物层上形成的牺牲微透镜层形成具有微透镜结构的牺牲微透镜，并且其中，在形牺牲微透镜之后，氮化物层被转移蚀刻，使氮化物层具有牺牲微透镜的微透镜结构。

摘要：一种CMOS图像传感器及用于制造所述CMOS图像传感器的方法，其改善光接收效率并保持金属线设计中的裕度。所述CMOS传感器包括：透明基板，包括具有光电二极管区和晶体管区的有源区，和用于隔离该有源区的场区；在所述透明基板上的P型半导体层；在对应所述光电二极管区的P型半导体层中的光电二极管；和在对应所述晶体管区的P型半导体层中的多个晶体管。

摘要：提供了一种金属线及其制造方法，该金属线可通过使用CVD TiSiN形成用于铜线的防扩散层的阻挡金属而用于尺寸小于65nm的半导体器件结构。所述金属线包括：半导体基片，在其上形成有半导体器件；绝缘层，在对应于所述半导体器件的部分具有接触孔并且在所述半导体基片上形成；TiSiN阻挡金属层，在所述接触孔中形成；以及铜线，在所述TiSiN阻挡金属层上形成。

摘要：本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，用于钝化的氮化物层被作为微透镜以减小布局。CMOS图像传感器包括：上部金属层，部分沉积于介电层上；第一氮化物层，沉积于上部金属层上；无掺杂的硅酸盐玻璃层，沉积于第一氮化物层上，并通过化学-机械抛光被抛光；滤色器阵列元件，沉积并暴露于无掺杂的硅酸盐玻璃层上，并通过化学-机械抛光被抛光；以及第二氮化物层，沉积于第一氮化物层和滤色器阵列元件上，并在第二氮化物层上形成牺牲微透镜之后被转移蚀刻。

摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器的光电二极管及其制造方法，其中，可以防止注入在器件隔离膜附近的离子扩散到光电二极管区，以减少暗电流。CMOS图像传感器的光电二极管包括：重掺杂P型半导体衬底；形成在半导体衬底上的轻掺杂P型外延层；形成在外延层上的栅电极；形成在外延层中的器件隔离膜和N型光电二极管区；形成在外延层上以敞开器件隔离膜和光电二极管区之间的部分的隔离膜；以及形成在外延层中的器件隔离膜和光电二极管区之间的重掺杂P型扩散区。

摘要：一种CMOS图像传感器包括能够执行光感测和有源放大的光电晶体管。所述光电晶体管被安装以在维持现有像素操作的同时改进低照明特性。所述CMOS图像传感器还包括：重置晶体管，其连接到所述光电晶体管并且适于执行重置功能；驱动晶体管，用于响应于来自光电晶体管的输出信号来充当源跟随器缓冲放大器；以及开关晶体管，其连接到所述驱动晶体管并且适于执行寻址功能。

摘要：一种CMOS图像传感器包括：光感测器件，用于产生光电荷；浮动扩散区，用于存储由所述光感测器件产生的光电荷；传递晶体管，其连接在所述光感测器件和所述浮动扩散区之间，用于将由所述光感测器件产生的光电荷传递到所述浮动扩散区；重置晶体管，其连接在电源电压端子和所述浮动扩散区之间，用于将存储在所述浮动扩散区中的电荷放电以重置所述浮动扩散区；驱动晶体管，用于响应于来自所述光感测器件的输出信号来充当源跟随器缓冲放大器；开关晶体管，其连接到所述驱动晶体管，用于进行寻址操作；以及电荷控制器件，其连接在所述光感测器件和所述传递晶体管之间，用于控制存储在所述光感测器件中的电荷的量。

摘要：本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：滤色器层，具有用于色分离的光子晶体。因为滤色器层的透射率高于有机材料的涂料或染料的透射率，并能很容易地控制在不需要的波长区域内，所以可制造出具有高灵敏度和良好彩色再生的图像传感器。

摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其中，可在源极/漏极区之下的应变硅层之中形成绝缘层，以基本上解决半导体器件中通道减小所产生的问题。一种用于制造半导体器件的方法，可包括：在第一硅层上生长锗层；在锗层中形成至少两条沟道；在包括沟道的锗层中形成绝缘层；通过抛光锗层和绝缘层直至在沟道的底部处共面来形成至少两个栅极绝缘层图样；重新生长和平坦化锗层；在锗层上形成第二硅层；在至少两个绝缘层之间的第二硅层上形成栅极绝缘层和栅电极；以及通过向在栅电极的侧面处的第二硅层中注入杂质离子来形成源极/漏极区。

摘要：一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中即使微透镜的轮廓发生变化，图像传感器的特性也不会受到影响，以获得更加可靠的器件。本发明的CMOS图像传感器包括：滤色器层，形成在半导体衬底之上；平坦化层，形成在滤色器层上；以及微透镜，用与平坦化层的材料相同的材料形成在平坦化层上，微透镜被定位为分别对应于滤色器层。

摘要：在一种制造CMOS图像传感器的方法中，在焊盘上用氮化硅层形成微透镜，使得能够降低微透镜的高度，并能够提高折射率。除了外形为弯曲表面的主透镜，还通过以高蚀刻选择比蚀刻氧化硅层和氮化硅层，形成了侧壁隔离物型状的内部透镜。

摘要：一种根据本发明实施例的CMOS图像传感器中的示范性滤色器阵列包括大于绿像素的蓝像素和红像素。相应地，绿、红和蓝像素的光敏度可相同，因此颜色的可再现性可得到增强。

摘要：一种CMOS图像传感器的制造方法，在焊盘上形成氮化硅(SiN)层。微透镜，根据期望的透镜组装密度具有最小高度和覆盖区，由沉积在氮化硅上的氧化膜和氮化膜制成。因为透镜具有低高度，透镜的折射率可以被改进。可以在主透镜弯曲部分的下面额外地形成侧壁隔离物型内透镜，以有助于克服由单一透镜结构引起的问题。

摘要：本发明公开了一种具有晶体管的CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括半导体衬底；形成在半导体衬底上的晶体管的栅电极；以及非晶硅层，形成为栅电极的一部分，从而防止栅电极下的通道区被杂质离子掺杂。

摘要：一种图像传感器具有在图像区域上设置的多个微透镜，其中中心设置的红像素被提供有较小的微透镜，外围设置的红像素被提供有较大的微透镜。尺寸差异防止了微红效果在输出图像中的产生，该差异总计约为5%，用以补偿图像区域上的入射光的每个波长的折射率差异。该图像传感器包括：滤色器阵列，包括用于按照波长分别滤光的滤色器，所述滤色器包括长波长滤光器；以及多个微透镜，分别形成于滤色器阵列的滤色器上，与长波长滤光器对应的微透镜具有按照相关于滤色器阵列的布置而不同的相对尺寸。