摘要：本申请提供一种磁性存储器的写操作方法，所述磁性存储器包括多数个存储单元组成的存储单元阵列，所述存储单元阵列通过字线、源极线和位线与所述外部电路连接，每个所述存储单元由磁性隧道结和NMOS管组成。其中，对于被选中存储单元，所述写操作方法包括当写操作需要从源极线向位线方向通电时，通过写驱动电路将源极线电压设置为电路的工作电压，将位线电压设置为负电压；当写操作需要从位线向源极线方向通电时时，通过所述写驱动电路将所述源极线电压设置为零电位，将所述位线电压设置为等于或小于所述工作电压。本申请降低对MOS管的工作负荷，并增加其写驱动电流的同时，安全的避免了由于PN结正向偏压过大造成的短路问题。

摘要：本申请提供一种具备双端列地址解码器的磁性随机存储器，适用于磁性随机存储器芯片架构，读写电路通过行地址解码器和列地址解码器以控制连接选中的存储阵列的字线及位线，所述列地址解码器结构改良在于，将源极线与位线选择开关划分，分别设置于存储阵列相对两侧。相对于现行技术，降低了最坏情况下的导线总电阻，减少了不同行的导线电阻差，而且不需过度增设读写电路与线路选择开关，具有结构简单、制造成本低、可靠性高等优点。

摘要：本申请提供一种存储器的字线驱动电路，其包括多个预译码器与其连接的多个行译码驱动器，每一行译码驱动器包括电源选择电路与多个译码驱动电路，所述字线驱动电路控制磁性随机存储器的字线；所述电源选择电路与每一译码驱动电路个别的具有二个输入端，其中一个输入端连接至所述多个预译码器提供的驱动选择信号；所述电源选择电路的另一个输入端连接至读写选择信号，输出端连接至公共结节；所述电源选择电路根据输入行预译码信号和读写选择信号选择字线的写电压或读电压，读写选择信号在读状态并且行预译码信号有效时字线驱动电路电源电压选择读电压。此字线驱动电路具有结构简单、制造成本低、可靠性高等优点。

摘要：本申请提供一种MRAM读出放大器及筛选方法，其在差分放大器的输入端设置复合的开关控制机制，控制存储单元的预充电及差分放大器启用时机，有效的复现存储单元的写入状态。另一方面，在MRAM生产过程中，通过对输入端以相异电位输入，结合差分放大器的复现情形，能有助于判定存储单元是否失效，并于失效时通过冗余单元作替换，较能有效提升MRAM的生产良率。

摘要：本申请提供一种磁性存储器及其制作方法。所述磁性存储器包括至少一个存储单元，其包括金属层，具有自旋霍尔效应材料；磁性隧道结器件，设置于所述金属层上并连接至位线，所述磁性隧道结器件的自由层连接所述金属层；电阻器件，设置于所述金属层上并连接至位线，与所述磁性隧道结器件形成并联；开关晶体管，电性连接于源极线与所述金属层之间，所述开关晶体管的控制端连接字线。此结构能减少过孔与位线的设置需求，缩小存储单元设置面积，通过调整电阻器件的阻值，得以让读/写操作衍生的负面效应变成可控。

摘要：本申请提供一种磁性随机存储器及其数据读/写操作方法，其包括二个磁性隧道结、开关管、自旋霍尔金属；所述开关管的栅端连接写字线、漏极连接写位线；所述自旋霍尔金属第一端连接所述开关管的源极，第二端连接源极线；所述二个磁性隧道结的自由层间隔连接所述自旋霍尔金属上方，固定磁化层分别通过二极管连接至第一读字线与第二读字线。通过本申请的存储器，能减少开关管数量，读/写操作分别降低字线/位线负载电容，有效提升读/写速度，减少静态与动态功耗。

摘要：本申请提供一种磁性随机存储器的字线电源控制电路，其包括读写控制电路及其字线译码器之间的逻辑控制电路。所述逻辑控制电路具有字线反馈功能，以调节控制读操作的写控制反馈信号。此模式根据写/读操作时对被选中字线进行快速充电，有助于降低字线电源控制电路的读操作字线上升延迟，加快读速度。具有操作简单、可靠性高等优点。

摘要：本申请提供公开了一种复合种子层结构及其磁性随机存储器存储单元。磁性随机存储器存储单元的复合种子层位于底电极与反平行铁磁超晶格层之间。为保证磁性随机存储器正常工作，要求其位于反平行铁磁超晶格层之下的复合种子层有超高的平整度的同时，其晶格常数要与反平行铁磁超晶格层高度匹配。在现有技术中，复合种子层通常采用经过PVD生长的Pt，其厚度大于5nm。本发明采用一种含金属铜或氮化铜的多层结构的复合种子层，增加反平行铁磁超晶格层的垂直磁性各向异性，同时在保证磁性随机存储器正常工作的前提下，降低了生产成本，避免了较厚的Pt难以刻蚀的问题。

摘要：本申请提供一种磁性随机存储器架构，所述磁性随机存储器架构的每一存储单元设置于字线与位线相交部位，包括拆分为多个存取晶体管、磁性隧道结与源极线共享结构。本申请通过n个存取晶体管的源极和漏极共享有源区的设计条件中，保证管子两端的均为源极连接，确保不同基本单元的存取晶体管可以共享源极连接，缩小了边缘线的范围，实现了存储阵列的面积压缩。

摘要：一种磁性随机存储器(MRAM)的读出电路，用于读取磁性随机存储器磁性存储单元信息的前级读出电路，读通路负载管用以提供读操作的基准电流至待测的磁性存储单元；存取晶体管串联连接所述读通路负载管，存取晶体管另一端电性连接磁性隧道结的一端，且在给定的字线电压偏置下，所述存取晶体管被设置于饱和区，形成共栅极放大器。藉此所述读通路负载管与存取晶体管连接节点形成放大输出的读取电压，所述读取电压和参考电压一起作为读通路下一级电压灵敏放大器的输入。这样减少了前级读通路所用到的晶体管数目，减小了芯片的整体面积。同时该读出电路的设计也减少了读通路上的元器件占用的电源电压余量，从而降低了可工作电压。

摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构的合成反铁磁层生成之前还形成有单层材料膜或多层材料膜的晶格促进层，其用以使所述合成反铁磁层生成时形成面心立方FCC(111)结构并具有垂直各向异性，实现合成反铁磁层到参考层之间的强铁磁耦合，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。

摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构的反铁磁层的铁磁超晶格层与参考层结合，形成具有超薄反铁磁层和参考层双层结构，调节所述反铁磁层和所述参考层在垂直方向的饱和磁矩以调节其在所述自由层的漏磁场，其令磁性隧道结具有相对较佳的漏磁场写电流的调控能力，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。

摘要：本发明涉及磁性随机存储器技术领域，具体涉及一种磁性隧道结垂直反铁磁层及随机存储器，本发明的垂直反铁磁层设置于磁性随机存储器存储单元，在具有垂直反铁磁层的磁性隧道结结构中，由下至上依次设置垂直各向异性场增强层和垂直反铁磁层双层结构并堆叠在自由层的上方，所述垂直反铁磁层通过垂直各向异性增强乘实现和自由层的磁性耦合，增强自由层的热稳定性，本发明垂直反铁磁层(pAFM)通过垂直各向异性增强层(HK EL)实现和自由层(FL)的磁性耦合，从而增强了自由层(FL)的热稳定性，同时，由于垂直反铁磁层(pAFM)的引入，有利于漏磁场的调控，有利于磁性随机存储器(MRAM)器件，读/写，存储性能的提升，有利器件的缩微化。

摘要：一种磁性随机存储器(MRAM)的读电路，读钳位电路由运算放大器及钳位晶体管所在回路构成，用于控制所述磁性存储单元电压钳位功能；基准电流产生电路由读通路负载管及两路电流源构成，读通路负载管经过钳位管与所述磁性存储单元电性连接；电流灵敏放大器用以将前述两路电流源的电流作为输入信号，完成电流值大小比较；以及锁存器接收电流灵敏放大器的比较结果转换成逻辑信号，从而完成所选中磁性存储单元组态信息的读取操作。完整读操作只需要两次读操作，不需要额外写操作，故增加了读可靠性；相对传统读电路，不需要参考单元作参照，节省芯片面积，降低了芯片制造成本。

摘要：一种具漏磁场平衡层的磁性隧道结单元及磁性随机存储器，在磁性隧道结(MTJ)的覆盖层之上，设置一层具有强烈垂直各向异性的漏磁场平衡层(Stray Field Balance Layer，SFBL)来调控合成反铁磁层和参考层在自由层上的漏磁场，具有强烈垂直各向异性的漏磁场平衡层的磁性隧道结单元，相对于传统的单纯具有的合成反铁磁层的磁性隧道结单元，具有更强的漏磁场和写电流调控能力，非常有利于磁性随机存储器磁学、电学和良率的提升，以及器件的进一步缩微化。

摘要：一种具垂直各向异性场增强层的磁性隧道结单元结构，其特征在于自由层上方設有垂直各向异性场增强层，第一垂直各向异性场增强层为所述自由层提供一个额外的垂直各向异性来源，从而增加其热稳定性；且透過第二垂直各向异性场增强层和第三垂直各向异性场增强层的平面晶向模板作用下，使第一垂直各向异性场增强层具有更好的结晶性能，从而增强自由层的垂直各向异性场。该磁性隧道结单元结构有利磁性随机存储器电路的读/写性能的提升，也常有利于其磁场免疫能力的提升，及非常有利制作超小型的磁性随机存储器。

摘要：本申请提供一种存储器的列译码器，其主要结构在于，全局译码器与局部译码器受控于放电信号控制线以进行选址信号的输出或清除，通过三态开关、局部逻辑电路及位线/源极线控制电路的协同作业，调节所有位线与源极线的选址与写平行/反平行的电位操作，在简化组件架构的列译码器结构下，实现位线/源极线驱动电路对位线与源极线的选择与操作。此列译码器具有结构简单、制造成本低、可靠性高等优点。

摘要：本发明涉及磁性随机存储器领域，特别涉及一种磁性隧道结垂直各向异性场增强层；所述垂直各向异性场增强层设置于磁性随机存储器存储单元，所述垂直各向异性场增强层为通过溅射沉积工艺形成的第一垂直各向异性场增强层以及通过第二垂直各向异性场增强层的双层结构，所述第一垂直各向异性场增强层通过第二垂直各向异性场增强层HCP晶系晶向的模板作用增强自由层的垂直各向异性场；本发明有利于MRAM电路读/写性能的提升，有利于其磁场免疫能力的提升，有利制作超小型的MRAM电路，具有很强的市场应用前景。

摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种磁性随机存储器自对准顶电极的形成方法；包括以下步骤：S1设置基底；S2在基底上依次形成粘连层和硬掩模层；S3采用与MTJ相反的图案对MTJ进行图行化定义；S4将MTJ相反图案转移到硬掩模层底部，并对硬掩模膜层行刻蚀；S5沉积顶电极材料并覆盖硬掩模，形成自对准顶电极；S6移除顶电极材料、硬掩模材料和残留物；本发明的适合制备超精细的MRAM电路，用以解决PR弯曲和倒伏，不能正常的转移图案到MTJ单元，导电硬掩模侧壁倾斜角度过大，有利于MTJ单元的小型化，降低了MRAM电路位线和MTJ单元短路的风险。

摘要：本发明公开了一种齿轮位置/速度传感器，其包括传感电路、信号处理芯片、背磁铁，磁屏蔽层及基板，所述传感电路包括连接方向相反的两个磁隧道结磁阻组件。通过齿轮经过磁隧道结磁阻组件时产生的低、高电阻变化，以其对应电压或信号进行差分处理输出，即可输出信噪比较高的信号并且可以极大的减小外来磁场的干扰。