摘要：本发明提供了一种基于NiFeAMR特性制作的MEMS三轴磁力计结构以及磁力计。三轴磁力计结构包括：布置在预定平面上的各项异性磁阻材料，以便形成三轴磁力计结构的X和Y轴，然后在磁阻材料上形成电极部件用作barber电极，用来改变电流方向，以便利用AMR材料的各项异性磁阻效应；氧化物沟槽，所述氧化物沟槽的侧壁与所述预定平面垂直；布置在所述氧化物沟槽的与电极部件的长度方向平行的两个侧壁上的各向异性磁阻材料，所述各向异性磁阻材料形成三轴磁力计结构的Z轴。

摘要：本发明提出一种分栅电阻器结构及其制作方法，由所述硬掩模层作阻挡刻蚀形成第一沟槽，然后在所述第一沟槽中形成第一侧墙，接着刻蚀所述第一侧墙，形成第二沟槽，然后在所述第二沟槽中依次形成第二侧墙和虚拟栅极，最后去除所述硬掩模层；由于在进行上述步骤时，所述分栅电阻层的宽度增加且容易调节，进而提高了所述分栅电阻的实用性和灵活性。

摘要：本发明公开了一种测量仪器的夹具，用于夹持测试仪器的杆状探头，包括夹持架，所述夹持架包括相对间隔设置的两卡板和一底板，所述两卡板的底部通过所述底板连接，所述两卡板的上部对应设有一用于卡住所述杆状探头的卡槽，形成卡槽对，所述卡槽的形状呈斜向圆弧楔口型。本发明提供的测量仪器的夹具，通过在所述两卡板的上部对应设有一用于卡住所述杆状探头的卡槽，形成卡槽对，所述卡槽的形状呈斜向圆弧楔口型，依靠形状呈斜向弧形楔口的卡槽对实现对测量仪器的快速安装，而且可以避免螺丝掉落的风险，并且能够增加测量仪器的夹持稳定性，提高测量效率和测量精度。

摘要：本发明提供一种晶圆级气密性的测试结构及测试方法，方法包括：键合第一、第二晶片，第一晶片中有多个第一类空腔和一第二类空腔；第二类空腔上的第二晶片有凹槽；包围第一类空腔、第二类空腔的第二晶片和凹槽上均有第一金属；第一类空腔上的第二晶片中有MEMS装置；提供有多个第三类空腔和一第四类空腔的第三晶片，包围第三类空腔、第四类空腔的第三晶片和第四类空腔顶部均有第二金属；第二晶片上的第一金属与第三晶片上的第二金属键合形成多个MEMS器件和一测试结构，第四类空腔中的气压小于第二类空腔中的气压，本发明通过测试结构中的电容变化反映MEMS器件的密封性，无需将每个MEMS器件从晶片切割下来进行密封性测试，此法操作简单、效率高、成本低。

摘要：本发明提供了一种低功耗MOS器件栅极刻蚀及低功耗MOS器件制造方法。所述低功耗MOS器件栅极刻蚀方法包括：形成低功耗MOS器件的栅极多晶硅层，其中低功耗MOS器件包括低功耗NMOS器件和低功耗PMOS器件，而且其中所述NMOS器件的栅极多晶硅层为掺杂的栅极多晶硅，所述PMOS器件的栅极多晶硅层为未掺杂的栅极多晶硅；利用氟化物和CL2的混合气体对所述低功耗MOS器件的栅极多晶硅层进行刻蚀以形成所述低功耗MOS器件的栅极多晶硅图案。

摘要：本发明提供了一种AMR（AnisotropicMagneto-resistance）MEMS制造方法。本发明的AMRMEMS制造方法包括：在硅片上直接形成SiN膜层；在SiN膜层上直接形成AMR材料层；在AMR材料层上直接形成金属层；刻蚀金属层以在金属层中形成凹槽；针对所述凹槽的位置刻蚀AMR材料层；沉积SiN覆盖层，并且对所述凹槽两侧的金属层上的SiN覆盖层进行刻蚀以形成金属凹槽，并在金属凹槽中填充金属以形成接触孔连接金属层。

摘要：本发明公开了一种测量仪器的夹持方法，用于夹持测试仪器的杆状探头，包括将杆状探头直接卡合在夹持架的卡槽上，所述夹持架包括相对间隔设置的两卡板和一底板，所述两卡板的底部通过所述底板连接，所述两卡板的上部对应设有一用于卡住所述杆状探头的所述卡槽，形成卡槽对，所述卡槽的形状呈斜向圆弧楔口型。本发明提供的测量仪器的夹持方法，通过将杆状探头直接卡合在夹持架的卡槽上就可以实现杆状探头的夹持，所述卡槽的形状呈斜向圆弧楔口型，依靠形状呈斜向弧形楔口的卡槽对实现对测量仪器的快速安装，而且可以避免螺丝掉落的风险，并且能够增加测量仪器的夹持稳定性，提高测量效率和测量精度。

摘要：本发明提出一种参考单元的擦除方法，所述参考单元的擦除方法用于EEPROM存储单元，所述EEPROM存储单元包括结构相同的存储单元和参考单元，所述EEPROM存储单元接收一编程命令后，对所述存储单元进行编程操作，不对所述参考单元进行任何操作，所述EEPROM存储单元接收一擦除命令后，对所述参考单元先后进行编程操作和擦除操作，对所述存储单元进行擦除操作，使参考单元的电流能随存储单元的电流降低而降低，以解决将所述存储单元存储的电流与所述参考单元存储的电流进行比较时，可以更精确地判断各存储单元存储的电流状态是在擦除操作后还是在编程操作后，从而提高芯片的耐久性。

摘要：本发明提供了一种用于MEMS AMR的接触孔刻蚀方法以及MEMS AMR接触孔制造方法。所述用于MEMS AMR的接触孔刻蚀方法包括利用物理气相沉积设备执行物理气相沉积以形成氮化钽层；利用光阻掩膜对所述氮化钽层执行软刻蚀，以便形成接触孔；在形成接触孔之后去除光阻掩膜，其中在所述氮化钽层上残留聚合物残留物；在去除光阻掩膜之后对所述氮化钽层执行软溅射刻蚀，以便去除所述氮化钽层上少量的聚合物残留物以及所述氮化钽层的表层。

摘要：本发明提供了一种COMS图像传感器及其制作方法，其中，所述制作方法包括在半导体衬底表面形成第一掺杂区；依次形成栅极氧化层和栅极多晶硅；在所述半导体衬底内部形成第二掺杂区；沉积介质层，通过曝光与刻蚀工艺形成侧墙；在所述半导体衬底表面形成第三掺杂区；去除半导体衬底表面的介质层；在所述第一掺杂区中形成第四掺杂区。本发明通过在刻蚀形成栅极侧墙，去除光刻胶之后即进行离子注入在半导体衬底表面形成第三掺杂区，然后再去除半导体衬底表面的介质层，防止次离子注入对感光二极管表面的半导体衬底造成损伤，从而避免因半导体损伤造成的COMS图像传感器白点，提高COMS图像传感器的质量。

摘要：一种双RESURF LDMOS器件，包括布置在衬底表面的漏极阱区；布置在衬底表面的与漏极阱区邻接并且相对于漏极阱区对称布置的第一源极阱区和第二源极阱区；布置在漏极阱区表面中央位置的漏极接触区；布置在漏极阱区表面与漏极接触区邻接并且相对于漏极接触区对称布置的第一浅沟槽区域和第二浅沟槽区域；布置在漏极阱区中并且分别布置在第一浅沟槽区域和第二浅沟槽区域下方的第一掩埋区域和第二掩埋区域；布置在第一源极阱区表面的具有第二掺杂类型的第一源极接触区；布置在第二源极阱区表面的第二源极接触区；布置在衬底表面上的位于漏极阱区和第一源极阱区上方的第一栅极；以及布置在衬底表面上的位于漏极阱区和第二源极阱区上方的第二栅极。

摘要：本发明提出一种电容器结构及其制作方法，在现有的电容器基础上形成一层第四介质层，并且刻蚀第四介质层形成沟槽，并对沟槽填充金属物，第一多晶硅层作为第一极板，第二多晶硅层作为第二极板，沟槽中的金属物作为第三极板，第二介质层以及第四介质层作为极板之间的介质层，从而在不增加电容器电容面积的情况下，提高电容器的单位面积电容，节省半导体芯片的整体面积。

摘要：本发明提供了一种提高整合被动器件电感器Q值的方法。该提高整合被动器件电感器Q值的方法包括：首先，提供高阻硅衬底；此后，在对所提供的高阻硅衬底不经过任何处理的情况下直接对高阻硅衬底进行离子注入，从而在高阻硅衬底表面中注入掺杂原子；随后，在高阻硅衬底上直接生长一个层间绝缘层，以使得层间绝缘层直接形成在高阻硅衬底上；然后，在层间绝缘层层上淀积金属层，并形成金属层的图案从而制作电感器。

摘要：本发明提供了一种部分耗尽绝缘体上硅器件结构，包括：半导体衬底，包括依次自下至上依次层叠的底层衬底、绝缘区埋层以及上层衬底；器件有源区，位于所述上层衬底中，所述器件有源区具有体区、源区和漏区；栅极，横跨所述器件有源区上，所述体区位于所述栅极下方，所述源区和漏区分别位于所述栅极的两侧；体接触有源区，位于所述器件有源区的宽度方向一侧的所述上层衬底中，所述体接触有源区与所述漏区或所述源区通过一浅隔离区相隔绝，所述浅隔离区不与所述绝缘埋层相接触；其中，所述栅极与所述体接触有源区电气连接。在本发明提供的部分耗尽绝缘体上硅器件结构，能够提高部分耗尽绝缘体上硅动态阈值晶体管开启的均匀性。

摘要：本发明提供了一种用于MEMS工艺的TaN刻蚀聚合物残留去除方法，包括：利用光阻掩膜对TaN膜层进行刻蚀以形成接触孔，其中在光阻掩膜表面会形成TaN类聚合物；在85摄氏度下利用CF4和O2的混合气体进行灰化处理，以部分地去除光阻表面比较难去除的TaN类聚合物以及部分地去除光阻掩膜；在85摄氏度下利用O2气体进行灰化处理，以便完全去除光阻掩膜；在85摄氏度下利用CF4和O2的混合气体进行灰化处理，以便去除剩余的TaN类聚合物，其中引入了C类聚合物；在85摄氏度下利用O2气体进行灰化处理，以便去除C类聚合物400；进行湿法清洗，去除聚合物和残留的光阻掩膜。

摘要：本发明提出一种电容器结构及其制作方法，在浅沟道隔离层上形成第一多晶硅层和第一介质层，接着再依次形成第二多晶硅层、第二介质层以及第三多晶硅层，以第一多晶硅层、第二多晶硅层以及第三多晶硅层作为电极板，第一介质层以及第二介质层作为电极板间的介质层，从而在不增加电容面积的情况下，提高电容器的单位面积电容，节省半导体芯片的整体面积。

摘要：本发明提供了一种用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，包括：在预定工艺条件下，利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀；利用湿法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行进一步刻蚀，以形成硅化物阻挡氧化物层的图案。所述预定工艺条件为：150W-250W的刻蚀功率，50mT-100mT的压力；不小于10sec的刻蚀时间。

摘要：本发明提供了一种功率MOS管，包括衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的沟槽；形成于所述外延层中的体注入区；形成于所述体注入区中的源极注入区和接触孔，形成于所述体注入区和源极注入区之间的抗击穿离子注入区；形成于所述接触孔内的硅化物层和金属层；其中，所述接触孔穿透所述体注入区，并伸至外延层中。在本发明提供的功率MOS管及其制造方法中，接触孔穿透体注入区并伸至外延层中，从而形成了一个与本征二极管并联的肖特基二极管，改善了功率MOS管的关态特性。

摘要：本发明提供了一种电可擦除可编程只读存储器的控制方法，包括通过对存储器单元的控制栅、源极、漏极以及与该存储器单元相连的字线分别施加第一电压、第二电压、第三电压和第四电压以实现擦除操作；其中，擦除操作时对未选中的存储器单元下面的衬底区域均施加一附加电压，所述附加电压的极性与所述第一电压的极性相反。在本发明提供的电可擦除可编程只读存储器中，通过在未选中的存储器单元的衬底区域上施加一附加电压，使得所述附加电压耦合到未选中的存储器单元上，抵消了部分因控制栅施加的电压所产生的耦合作用，从而避免了在对选中的存储器单元进行擦除操作的同时对其他的存储器单元造成的串扰。

摘要：本发明提供了一种存储器阵列，包括：若干个存储单元、若干条相互平行的位线、若干条与所述位线相互垂直且绝缘的字线、以及若干个接触孔；其中，所述若干个存储单元呈阵列设置，所述位线通过所述接触孔连接所述存储单元；每隔两列存储单元设置有一列虚拟单元，所述虚拟单元不与所述位线连接。在本发明提供的存储器阵列中，每隔两列存储单元设置一列虚拟单元，所述位线与所述虚拟单元不连接，由此可见，所述虚拟列切断漏电的途径，因此，所述存储器阵列中只需要一个源极跟随器就能避免存储单元漏电，存储器阵列进行读取操作时只需读取一个源极跟随器，从而降低了存储器阵列的功耗。