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一种MEMS气体传感器及其加工方法

发明专利有效专利

申请号：CN201410345483.9
申请人：苏州能斯达电子科技有限公司
申请日：2014-07-18
主分类号：G01N27/14
公开（公告）日：2014-11-12
公开/公告号：CN104142359A

委托购买

摘要：本发明涉及气体检测技术领域，公开了一种MEMS气体传感器及其加工方法，包括单晶硅衬底；多孔硅层，形成于单晶硅衬底的上表面且具有一定深度，多孔硅层的上表面及孔壁表面形成有二氧化硅薄膜，且多孔硅层与所述单晶硅衬底的上表面平齐；下绝缘层，覆盖多孔硅层及所述单晶硅衬底的上表面；以及设置于下绝缘层上方的加热层、上绝缘层及气体敏感层。本发明的多孔硅层可以稳定地支撑下绝缘层薄膜及其上的其他气体传感器元件，避免传感器受力不均匀导致的变形破裂及在高温工作时下绝缘层变形翘曲导致的加热层脱落。同时，所述多孔硅层的孔壁表面覆有二氧化硅薄膜，可以起到更好的保温隔热效果，降低功耗，提高气体传感器的探测灵敏度和使用寿命。

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