摘要：本发明涉及LED外延片及其制备方法，具体公开了一种GaN基LED外延片及其制备方法，该外延片包括FTO衬底、在FTO衬底上的GaN种子层、生长在GaN种子层上的GaN纳米柱层、生长在GaN纳米柱层上的非掺杂GaN层、生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜、生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱、生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明采用FTO衬底，FTO衬底容易获得，价格便宜，有利于降低生产成本；同时，FTO具有导电、透光的特点，可以直接作为n型电极，在LED外延片上制作p型电极，有利于制备垂直结构的LED。

摘要：本发明公开了一种GaN基LED外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括：衬底、和依次层叠在衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、p型GaN层、以及p型欧姆接触层，缓冲层包括：依次生长的SiN子层、AlN子层、以及YxGa1‑xN子层，0＜X＜0.5，Y为Al、Si、以及Mg中一个或者多个。本发明制备的缓冲层中，AlN子层能缓解制备出的GaN基外延片中心下凹的翘曲程度，YxGa1‑xN子层可以在一定范围内调节AlN子层产生压应力，使得制备出的GaN基外延片翘曲在一定范围内可控，进而提高GaN基外延片中心与边缘的电性及波长均匀性。

摘要：本发明公开一种GaN基LED外延片，所述外延片在层状方向由下至上包括蓝宝石衬底、催化剂层、石墨烯层、缓冲层、n‑GaN层、量子阱层、p‑AlGaN层和p‑GaN层。与传统GaN基LED外延片构建垂直结构LED时需采用激光剥离设备剥离蓝宝石基底相比，本发明的GaN基LED外延片采用胶带即可直接剥离蓝宝石基底，无需激光剥离设备，提高了剥离效率，且无损伤。

摘要：本发明提供了一种GaN基LED外延片，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的N型GaN层；形成在所述N型GaN层上的发光层；形成在所述发光层上的P型GaN层；形成在所述P型GaN层上的第一超晶格接触层，所述第一超晶格接触层为InGaN/AlGaN超晶格结构。该GaN基LED外延片可降低P型GaN层的欧姆接触电阻，从而降低了LED芯片的电压。

摘要：本发明公开了一种具有p型接触层的GaN基LED外延片及其制备方法。所述外延片的结构从下至上依次为衬底、低温缓冲层、n型层、量子阱、p型层、p型接触层，所述p型接触层为量子阱层结构。本发明在现有外延片的结构基础上增加了p型接触层的结构，p型接触层采用了量子阱结构，由于阱层与垒层价带的能量不同，可有效提高该层的空穴浓度；同时，空穴在与量子阱平面垂直方向上的运动受到限制，更有利于空穴在量子阱平面方向作二维运动，在外加电压下，有利于空穴在p型层中的扩展，使电流分布更均匀，提高了LED的性能。本发明提供了所述外延片的制备方法，简单易行，成本较低，制备条件精确，可实现工业化生产。

摘要：本发明涉及半导体光电子器件领域，特别是一种新型结构的GaN基LED外延片及其制备方法。该新型的GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、限制层、缓冲层及p型层，其特点是p型层为空穴浓度为2×1018～6×1018cm-3的掺受主的GaP层，并在缓冲层与量子阱之间生长一n型限制层。p型层空穴浓度增大，可降低p型层电阻，外加电压下能增加空穴的注入，并使电流扩散更均匀。同时，限制层能克服由于GaP禁带宽度小，对量子阱内电子和空穴的限制作用小的缺点，大大增强对量子阱内的电子和空穴起限制作用，增大量子阱中电子和空穴的复合，从而明显改善GaN基LED的性能。