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一种连续制备纳米级阴离子层状材料的方法

发明专利无效专利

申请号：CN201010208901.1
申请人：湘潭大学
申请日：2010-06-25
主分类号：C01B13/36
公开（公告）日：2010-12-08
公开/公告号：CN101905870A

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摘要：本发明公开了一种连续制备纳米级阴离子层状材料的方法，主要由反应，过滤，洗涤，干燥几个步骤组成，相对于国内现有制备阴离子层状材料的方法具有如下优势：(1)所采用的是螺旋通道型旋转床超重力反应器，使得成核在均匀的微观混合环境中进行，从而实现成核快速、粒度分布窄化。通过冷凝NH3，从而使反应器内反应液保持在稳定的较高pH条件，避免了杂相产生。反应时间短，操作简单。(2)反应加入晶种，大大缩短成核诱导期，加速成核，且结晶度高、粒度分布更加均匀；根据加入晶种的粒径尺寸，可调节新生粒子的大小及其分布，达到粒径可控。(3)产品后处理无需晶化过程。(4)该工艺耗时短，可连续化生产，制备出的阴离子层状材料平均粒径为30～90nm。

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