一种薄膜残留应力测试结构及其制作方法

专利类型:
发明专利(1)
专利有效性:
有效专利(1)
法律状态:
授权(1)
高级筛选:

路标网共为您找到相关结果1

公开(公告)时间
申请时间

一种薄膜残留应力测试结构及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:CN201810230441.9
  • 申请人:上海集成电路研发中心有限公司
  • 申请日:2018-03-20
  • 主分类号:H01L23/544
  • 公开(公告)日:2018-08-24
  • 公开/公告号:CN108447850A
委托购买

摘要:本发明公开了一种薄膜残留应力测试结构,包括:并列设于衬底上的两个第一支撑柱;悬空设于两个第一支撑柱之间的一个第一环形指针结构;两段第一被测薄膜,分别悬空设于第一环形圈两侧,每个第一被测薄膜的一端连接在对应侧的第一支撑柱上,另一端连接在对应侧的第一环形圈上;如第一被测薄膜因残留应力较大而发生翘曲时,会拉动其连接的第一环形指针结构,使之变形,并引起第一环形指针结构发生平移,因而会在第一环形指针结构上设置的位移测量结构上引起量化的变化,从而可以对第一被测薄膜的残留应力进行量化评估。本发明还公开了一种薄膜残留应力测试结构的制作方法。

著录信息权利要求说明书PDF全文法律状态引证文献
  • 1
前往
没找到想要的结果?为您推荐专业专利顾问检索  一种薄膜残留应力测试结构及其制作方法 专利,更快更准确
免费
我想查:已帮助11013454位用户进行查询

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供