一种电感的片上实现结构及放置方法
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一种电感的片上实现结构及放置方法
发明专利无效专利- 申请号：CN201810811771.7
- 申请人：安徽矽磊电子科技有限公司
- 申请日：2018-07-21
- 主分类号：H01L23/522
- 公开（公告）日：2018-12-07
- 公开/公告号：CN108962872A
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摘要：本发明提出了一种电感的片上实现结构及放置方法，通过将负载电感以金属走线的形式设计，将去耦电容放置于负载电感的下方，去耦电容为接地电容，并且去耦电容的放置方向应满足去耦电容中的电流流向与其相对置的金属走线中的电流流向垂直。通过以上方案，将去耦电容通过特殊的方式放置在电感下面复用为屏蔽层，在保证电感品质因子的同时，大大减小了芯片的封装面积，节约了芯片晶圆成本。
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