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一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜

发明专利有效专利

申请号：CN201310399590.5
申请人：大连理工大学
申请日：2013-09-05
主分类号：H01L33/00
公开（公告）日：2014-01-01
公开/公告号：CN103489967A

委托购买

摘要：本发明涉及半导体材料制备领域，公开了一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜，采用三甲基镓或三乙基镓作为镓源，以气态含氧物质作为氧源，以含氢的化合物作为辅助反应气体，进而制备氧化镓外延膜。本发明使用MOCVD系统且通过调节生长参数、加入辅助反应物和优化后续处理方法来制备氧化镓外延膜，该方法能够让有机源充分反应，且反应产物可以完全脱离，避免了碳及其相关化合物的再次沉积对氧化镓膜表面造成的污染；经本方法制备的氧化镓外延膜性能优异，符合未来工业化量产的需求。

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