一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线氨敏传感器的制备方法

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发明专利(1)
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一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线氨敏传感器的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:CN200810116299.1
  • 申请人:清华大学
  • 申请日:2008-07-08
  • 主分类号:C01G41/02
  • 公开(公告)日:2008-12-10
  • 公开/公告号:CN101318703
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摘要:一种氧化钨纳米线氨敏传感器及其制备方法,属于气敏传感器技术领域。将钨酸钠溶于去离子水形成钨酸钠溶液;缓慢滴加盐酸和草酸,搅拌;将淡黄色胶束溶液转入反应釜中加入25~30克硫酸钾搅拌均匀,180℃温度下水热处理12~144小时;水热产物洗涤,在65℃空气气氛下充分干燥即制得所述氧化钨纳米线。根据制备得到的氧化钨纳米线,添加粘合剂以及玻璃料配制成气敏材料浆料;元件烧结;老化制得氧化钨纳米线氨敏传感器。本发明步骤简单,参数容易控制,整个制备过程能源消耗少,制备的氧化钨纳米线具有大的比表面积;制备的氧化钨氨敏传感器对低浓度氨气(1~100ppm)具有很高的灵敏度、良好的重复性和很高的稳定性。

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