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一种模拟忆阻器的电路

发明专利无效专利

申请号：CN201210100158.7
申请人：武汉科技大学
申请日：2012-04-09
主分类号：G11C16/34
公开（公告）日：2012-08-01
公开/公告号：CN102623062A

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摘要：本发明涉及一种忆阻器仿真模型。其技术方案是：该模型由比较器(1)、乘法器(2)、积分器(3)、忆阻器等效电阻(4)和窗函数(5)组成。比较器(1)的输入端C1和C2与忆阻器等效电阻(4)的端子A和B对应连接，比较器(1)的输出端Co与乘法器(2)的输入端M1连接；乘法器(2)的输入端M2与忆阻器等效电阻(4)的端子B连接，乘法器(2)的输入端M3与窗函数(5)的输出端Fo连接，乘法器(2)的输出端Mo与积分器(3)的输入端Ii连接；积分器(3)的输出端分别与忆阻器等效电阻(4)的输入端W和窗函数(5)的输入端Fi连接。本发明能很好地模拟忆阻器的“激活”特性，阻值也呈非线性连续变化，其电气特性与HP实验室发现的忆阻器物理模型的电气特性相符。

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