一种提高大尺寸芯片光效的外延结构及其生长方法
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一种提高大尺寸芯片光效的外延结构及其生长方法
发明专利无效专利- 申请号：CN201310032282.9
- 申请人：上海博恩世通光电股份有限公司
- 申请日：2013-01-28
- 主分类号：H01L33/04
- 公开（公告）日：2013-07-03
- 公开/公告号：CN103187497A
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摘要：本发明提供一种提高大尺寸芯片光效的外延结构制备方法，该方法包括以下步骤：在PSS衬底上生长GaN缓冲层；在该GaN缓冲层上生长UGaN层；在所述U型GaN层上生长掺杂Si的N型GaN层；交替生长形成掺杂Si和Al的第一NAlGaN层和不掺杂Si的第一UGaN层；交替生长38-40个周期；接着交替形成生长掺杂Si和Al的第二NAlGaN和不掺杂Si的第二UGaN层，交替生长25-26个周期；接着交替生长形成掺杂Si和Al的第三NAlGaN层和掺杂Si的第三NGaN层，交替生长15-16个周期；周期性生长有源层MQW和PGaN层。本发明采用NAlGaN/NGaN超晶格结构取代传统N型GaN层(NGaN)的方法有效提高了LED的外量子发光效率，使得器件可以提高电子的迁移率，可以降低大尺寸芯片的正向电压、提高发光效率。
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