一种多坩埚梯度冷凝晶体生长装置及其用于生长大尺寸溴化镧单晶的方法

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一种多坩埚梯度冷凝晶体生长装置及其用于生长大尺寸溴化镧单晶的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:CN201911000067.4
  • 申请人:哈尔滨元雅新材料科技有限公司
  • 申请日:2019-10-21
  • 主分类号:C30B11/00
  • 公开(公告)日:2019-12-20
  • 公开/公告号:CN110592659A
委托购买

摘要:一种多坩埚梯度冷凝晶体生长装置及其用于生长大尺寸溴化镧单晶的方法,它涉及生长溴化镧单晶的装置及方法。它是要解决现有的溴化镧单晶的生长方法的单晶质量差、易开裂的技术问题。该装置包括双层壳体、保温盖、内衬陶瓷管、两组外加热线圈、两组内加热线圈、多个控温热电偶、多个坩埚托、多个石英坩埚;其中内衬陶瓷管设置在圆柱形双层壳体的轴线上;多个坩埚托均布并固定在双层壳体与内衬陶瓷管之间的环形区域内;两组外加热线圈设置在双层壳体内;两组内加热线圈设置在内衬陶瓷管上。本方法:将溴化镧籽晶封装在石英坩埚中,再放到坩埚托上,采用全静态的原位梯度冷凝降温生长和退火,得到无开裂的大尺寸溴化镧单晶,可用于晶体生长领域。

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