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一种基于MWCNTs-QDs的纳米荧光仿生传感器及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：CN201410293007.7
申请人：东华大学
申请日：2014-06-25
主分类号：G01N21/64
公开（公告）日：2014-09-24
公开/公告号：CN104062275A

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摘要：本发明涉及一种基于MWCNTs?QDs的纳米荧光仿生传感器及其制备方法，以MWCNTs?QDs纳米复合材料为载体，BSA为模板分子，制备特异性识别BSA的纳米仿生传感器。制备：制备水溶性CdTe/CdS核壳结构量子点和PEI?MWCNTs；然后将CdTe/CdS量子点负载到PEI?MWCNTs表面得到MWCNTs?QDs；以MWCNTs?QDs为基体，利用sol?gel反应在其表面修饰BSA印迹的分子印迹聚合物。本方法采用表面印迹的方式合成的纳米荧光传感器有效识别位点多，且接近表面，比表面积大，易于选择性识别模板分子。

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