一种基于MEMS技术的流量计芯片的测量部件及其制作方法

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发明专利(1)
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一种基于MEMS技术的流量计芯片的测量部件及其制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:CN201010615884.3
  • 申请人:国家纳米技术与工程研究院
  • 申请日:2010-12-30
  • 主分类号:G01F1/684
  • 公开(公告)日:2011-09-07
  • 公开/公告号:CN102175287A
申请同类专利

摘要:一种基于MEMS技术的流量计芯片的测量部件,它包括一个带有流体通道的硅基,硅基及通道上方有一层薄的、表面粘度低的、导热性良好的绝缘层。制作方法:制成玻璃为基板的镍Ni金属掩模板;用光刻机将通道的图形转移到旋涂有光刻胶的硅片上;使用LPCVD技术在硅片上沉积一层二氧化硅;洗去非通道部分的光刻胶以及沉积在上面的二氧化硅;沉积一层特殊材料制成的绝缘层薄膜;在通道槽上方的绝缘层上测量装置;腐蚀掉通道中的二氧化硅。本发明将通道制作进了结构的内部,避免了传统的热电感应装置暴露在流体中的结构,绝缘层的材料选择表面粘度低、导热性良好的材料,则既可以保证测量数值的准确性,又可以大幅度的减少流体中杂质对流量计的污染。

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