摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；所述N‑GaN层与所述多量子阱层之间设有电子调制层；所述电子调制层包括依次设于所述N‑GaN层上的第一超晶格层、N‑AlaGa1‑aN层和InbGa1‑bN层，所述第一超晶格层包括第一预设周期个交替层叠的SicN1‑c层和第一GaN层；其中，a为0.1‑0.2，b为0.1‑0.2，c为0.1‑0.3。实施本发明，可有效提升发光二极管的发光效率。

摘要：本发明提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于二极管半导体的技术领域。所述发光二极管外延片包括三维结构层，所述三维结构层包括依次层叠的第一结构层、第二结构层及第三结构层；第一结构层包括周期性交替堆叠的InaN1‑a层及AlbGa1‑bN层；第二结构层为AlcN1‑c层；第三结构层包括周期性交替堆叠的GaN层及AlmGa1‑mN层，AlmGa1‑mN层的Ⅴ/Ⅲ以及生长速度大于GaN层；AlbGa1‑bN层的生长压力与第二结构层的生长压力相同，且第三结构层的生长压力介于InaN1‑a层及AlbGa1‑bN层的生长压力之间。通过本申请可提高发光二极管的发光效率以及抗静电能力。

摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片通过在Si衬底上生长第一子层，由于第一子层为低温InN层，其粗糙的表面可以使部分位错湮灭，降低位错密度，然后再生长第二子层，该第二子层为高温InN层，可以填平第一子层，使表面平整，从而提升了InN层的晶体质量，最后再生长In组分沿外延生长的方向逐渐减少的InGaN层，可降低InN层与后续GaN外延层之间的晶格失配，减少缺陷的产生，最终达到提高外延层的晶体质量的目的。

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及半导体工艺技术领域，所述发光二极管外延片包括电子阻挡层，所述发光二极管外延片的制备方法包括分别以氨气、三甲基铝以及三甲基镓为源料，以氢气和氮气为载气，依次生长n层AlGaN层，以制备所述发光二极管外延片的电子阻挡层；其中，通入所述三甲基铝的流量和所述氨气的流量随着所述AlGaN层的层数增加逐渐变化，所述三甲基铝的流量的变化趋势与所述氨气的流量变化趋势相反。本发明能够解决现有技术中电子阻挡层会引入大量的C、O等杂质，影响电子阻挡层的晶体质量的技术问题。

摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片包括复合电子阻挡层，复合电子阻挡层为超晶格结构，复合电子阻挡层包括M个周期交替层叠的第一子层以及第二子层；第一子层为p型掺杂EraAlbGa1‑a‑bN层，第二子层为p型掺杂GaN层。通过将现有的p型AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层转变成周期性依次层叠的p型掺杂EraAlbGa1‑a‑bN层和p型掺杂GaN层，可以实现异质结界面上的晶格匹配，消除界面应力，避免EraAlbGa1‑a‑bN势垒高度下降，保持良好的电子阻挡能力，有效提高LED的光电效率。

摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，外延片包括衬底、以及在衬底上依次生长的低温成核层、不掺杂的U‑GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层以及掺杂Mg的P型GaN层，N型层包括依次生长的第一子层、第二子层以及第三子层；第一子层包括周期性层叠的高掺Si的GaN层和InN层；第二子层包括周期性层叠的低掺Si的GaN层和InN层；第三子层包括周期性层叠的SiN层和低掺Si的AlGaN层。故本发明中的发光二极管外延片，降低了电子的移动速度，增加电子的扩展能力，释放底层应力，提升晶格质量，增加了表面平整度，提升了发光二极管的发光效率。

摘要：本发明提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，所述外延片包括衬底、缓冲层、三维成核层、二维合并层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、P型层；所述多量子阱层包括InGaN量子阱层和氮极性GaN量子垒层；所述氮极性GaN量子垒层包括镓极性GaN层、氮极性GaN预生长层、氮极性GaN层；所述镓极性GaN层与氮极性GaN预生长层掺杂元素为Si，所述氮极性GaN层掺杂元素为Mg，本发明解决了现有技术中在大电流工作条件下，LED会出现电子溢流，电子轻易越过多量子阱层跑到P型层和空穴发生非辐射复合，导致进入到多量子阱层的空穴浓度和注入效率降低，LED的发光效率下降的技术问题。

摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，所述方法包括提供一衬底，并在所述衬底表面生长AlN缓冲层；对所述AlN缓冲层依次进行循环交替的清洁处理和沉积处理，以在所述AlN缓冲层的表面上形成多层次的AlN薄膜层，直至所述AlN薄膜层的总厚度达到预设目标值，得到AlN处理层；在所述AlN处理层上依次生长N型半导体层、发光层以及P型半导体层。通过对AlN缓冲层的表面依次进行循环交替的清洁处理和沉积处理，减少了外延片表面颗粒状缺陷，还不会产生很大的翘曲，有利于后面生长出晶格质量良好的外延层，解决了现有技术中，采用H2对AlN表面蚀刻，导致对后续发光二极管外延片制备效果造成影响的技术问题。

摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，所述发光二极管外延片包括衬底，以及在衬底上依次层叠的缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型非掺杂GaN层、P型Mg掺杂GaN层和P型接触层；P型电子阻挡层包括m个超晶格结构子层；超晶格结构子层为由nm个周期性排布的InxGa1‑xN/AlymGa1‑ymN所组成的超晶格结构；沿多量子阱层至所述P型非掺杂GaN层方向上，各个超晶格结构子层中的Al组分浓度先逐渐增高后逐渐降低。本发明解决了现有P型电子阻挡层与多量子阱层和P型GaN层间的晶格失配所带来的降低了发光二极管外延片的发光效率的问题。

摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，发光二极管外延片包括包括空穴提供层，空穴提供层包括依次外延生长的第一子层和第二子层，第一子层为AlN层和BN层交替层叠的周期性结构，第二子层为第一P型InGaN层、生长停顿层和第二P型InGaN层交替层叠的周期性结构；其中，第一P型InGaN层的Mg掺杂浓度大于第二P型InGaN层的Mg掺杂浓度。本发明提出的复合型空穴提供层能够解决高浓度的Mg掺杂带来的晶体质量下降而导致表面平整度下降，空穴迁移率低而导致发光二极管发光效率低等问题。

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域，该发光二极管外延片包括衬底；在衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、缺陷阻挡层、N型GaN层、发光层、电子阻挡层、P型GaN层及接触层；其中，缺陷阻挡层依次包括第一缺陷阻挡层、第二缺陷阻挡层及第三缺陷阻挡层，第一缺陷阻挡层为AlaGa1‑aN薄膜层，第二缺陷阻挡层为BN薄膜层，第三缺陷阻挡层为AlaGa1‑aN薄膜层。本发明能够解决现有技术中衬底与外延层晶格失配较大，造成外延层位错密度提高，影响发光二极管外延片发光效率及光电性能的技术问题。

摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。发光二极管外延片的缓冲层包括沿外延片的生长方向层叠的：第一GaN子层作为后续第一SINx子层等结构的生长基础，第一SINx子层上形成部分微孔，位错被截断在第一SINx子层与第二GaN子层之间。在第二GaN子层上生长第二SINx子层，避免位错延伸至N型GaN层及有源层内。最终在第二SINx子层上生长第三GaN子层，作为过渡层保证后N型GaN层及有源层的质量。延伸至N型GaN层及有源层的位错较少，可以有效提高外延层的整体质量，有源层内会形成的缺陷较少，有源层内的非辐射复合减少，有效提高了发光二极管的发光效率。

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述发光二极管外延片还包括多个插入层，每个所述插入层的材料采用二维纳米材料MoS2，所述多个插入层间隔设置在所述有源层和所述P型半导体层之间。本发明通过在有源层和P型半导体层之间间隔设置多个插入层，每个插入层的材料采用二维纳米材料MoS2，可以增强对电子的限制能力，提高空穴的有效注入，有利于提高有源层中电子和空穴的复合效率，最终提升整个发光二极管的发光效率。

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层包括多个复合结构，复合结构包括阱层和垒层；最靠近P型半导体层的几个阱层为第一阱层，第一阱层包括第一子层、第二子层和第三子层；除第一阱层之外的阱层为第二阱层，第二阱层包括第四子层、第五子层和第六子层；第二子层的材料和第五子层的材料均采用InxGa1‑xN，第一子层的材料和第三子层的材料均采用AlaInbGa1‑a‑bN，第四子层的材料和第六子层的材料均采用AlcIndGa1‑c‑dN，x、a、b、c、d均为小于1的正数，(a/b)＜(c/d)。本发明可提高外延片的发光效率。

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括阱层和层叠在所述阱层上的垒层；所述有源层中最靠近所述P型半导体层的几个阱层为第一阱层，所述第一阱层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层的材料采用InN，所述第二子层的材料采用InxGa1‑xN，所述第三子层的材料采用InyGa1‑yN，0＜y＜x＜1。本发明可提高外延片的光电性能。

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。一种发光二极管外延片，该外延片包括：衬底、以及顺次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层、及P型接触层，该外延片还包括BGaN插入层，BGaN插入层位于多量子阱层和电子阻挡层之间，多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，阱垒层包括InGaN量子阱和AlGaN量子垒，靠近N型掺杂GaN层的阱垒层中的InGaN量子阱与N型掺杂GaN层接触，靠近电子阻挡层的阱垒层中的AlGaN量子垒与BGaN插入层接触，电子阻挡层包括多个层叠的复合层，复合层包括第一复合子层，第一复合子层包括第一AlGaN层，靠近多量子阱层的复合层中的第一AlGaN层与BGaN插入层接触。

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底；在衬底上顺次沉积缓冲层、未掺杂GaN层和N型掺杂GaN层；在N型掺杂GaN层上沉积多量子阱层，多量子阱层包括若干层叠的量子阱垒层，量子阱垒层包括阱层和层叠在阱层上的垒层，阱层包括第一InGaN层，垒层包括AlInGaN层和层叠在AlInGaN层上的GaN层，量子阱垒层中垒层的AlInGaN层靠近阱层，靠近N型掺杂GaN层的量子阱垒层中的阱层与N型掺杂GaN层接触；在多量子阱层上顺次沉积电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层。本发明能够避免MQW层内产生压电效应，提高电子和空穴发生辐射复合的效率。

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。N型GaN层与有源层之间依次设置低温N型GaN层与超晶格结构，低温N型GaN层的设置可使得超晶格结构与N型GaN层之间能够良好过渡，保证在N型GaN层上生长的超晶格结构的质量，避免超晶格结构中出现过多缺陷进而影响后续生长的有源层，而超晶格结构中交替层叠的铝镓氮子层、铟镓氮子层及GaN子层可起到释放外延层中的应力的作用，提高外延层整体的晶体质量，并且由于铝镓氮子层、铟镓氮子层及GaN子层三者之间的晶格常数差异较大，因此三者之间的界面可对位错进行阻挡，避免位错移动至超晶格结构之后的有源层中，保证了有源层的晶体质量。

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述应力释放层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述应力释放层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层；所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铟镓，所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铝，所述第三子层的材料采用氮化硅，所述第四子层的材料采用未掺杂的氮化镓。本发明最终提高LED的光电性能。

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的阱层和垒层；所述阱层的材料采用未掺杂的氮化铟镓，所述垒层的材料采用未掺杂的氮化镓；所述复合结构还包括过渡层，所述过渡层设置在所述阱层和垒层之间；所述过渡层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铝铟，所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铝。本发明可提升LED的光电性能。