一种制造改善寄生漏电流的STI结构的方法
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一种制造改善寄生漏电流的STI结构的方法
发明专利无效专利- 申请号：CN200810171565.0
- 申请人：和舰科技（苏州）有限公司
- 申请日：2008-10-21
- 主分类号：H01L21/762
- 公开（公告）日：2010-06-09
- 公开/公告号：CN101728306A
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摘要：本发明涉及一种制造改善寄生漏电流的STI结构的方法，该方法包含如下步骤：提供一个具有浅沟渠绝缘结构的基底，该基底上表面涂覆有SiN罩幕层；在该基底的上部及浅沟渠绝缘结构中沉积氧化物；对上述氧化物进行第一次研磨；在研磨至SiN罩幕层后停止研磨，然后再沉积一层SiN罩幕层；对上述SiN罩幕层进行第二次研磨；采用湿式蚀刻去除SiN罩幕层。采用本发明所述的一种制造改善寄生漏电流的STI结构的方法可以有效改善STI“断皮”现象，减少因磷酸侵蚀造成的微小凹陷，制作的STI平坦度较好，进而改善器件漏电现象。
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