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一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管的制作方法

发明专利有效专利

申请号：CN200810237845.7
申请人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日：2008-11-24
主分类号：H01L33/00
公开（公告）日：2009-07-29
公开/公告号：CN101494268

委托购买

摘要：本发明公开的一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管的制作方法，在蓝宝石衬底上外延生长n-GaN层、有源层和p-GaN层的发光层；在p-GaN层上依次形成金属反射层和扩散阻挡层，蚀刻去除中央局部区域的扩散阻挡层，暴露出金属反射层；在金属反射层上形成第一金属连接层；永久衬底上形成第二金属连接层；将外延片倒装在永久衬底上，使两金属连接层接合并经加温加压形成键合；去除衬底暴露出n-GaN层；制作电极。通过将金属反射层的中央局部区域劣化成高接触电阻区域，在发光层中形成电流阻挡结构，减小发光层中央局部区域的电流注入和减少有源层中央局部区域的发光，并增加其他区域的电流注入和发光比例，从而减少被焊盘遮挡和吸收的发光比例，提高器件的取光效率。

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